86-13826519287‬
  • image of ذاكرة>BY25Q128ESWIG(R)
  • image of ذاكرة>BY25Q128ESWIG(R)
رقم قطع الغيار
فئات المنتجات
الصانع
النوع
تغليف
التعبئة
الكمية
حالة RoHs
BY25Q128ESWIG(R)
ذاكرة
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
الشريط والبكرة (TR)
2999
الأسعار:
$0.6030
المخزون: 2999
إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

1

$1.4130

$1.4130

10

$1.2600

$12.6000

25

$1.1970

$29.9250

100

$0.9810

$98.1000

250

$0.9180

$229.5000

500

$0.8100

$405.0000

1000

$0.6390

$639.0000

3000

$0.6030

$1,809.0000

6000

$0.5670

$3,402.0000

15000

$0.5490

$8,235.0000

الحصول على معلومات العرض
تفاصيل المنتجات
image of ذاكرة>BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
رقم قطع الغيار
فئات المنتجات
الصانع
النوع
تغليف
التعبئة
الكمية
حالة RoHs
مواصفات كتاب
BY25Q128ESWIG(R)
ذاكرة
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
ذاكرة
الشريط والبكرة (TR)
2999 
1
معلمات المنتج
PDF(1)
يكتبوصف
MFRBYTe Semiconductor
مسلسل-
طَردالشريط والبكرة (TR)
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضية8-WDFN Exposed Pad
نوع التركيبSurface Mount
حجم الذاكرة128Mbit
نوع الذاكرةNon-Volatile
درجة حرارة التشغيل-40°C ~ 85°C (TA)
الجهد - العرض2.7V ~ 3.6V
تكنولوجياFLASH - NOR (SLC)
تردد الساعة120 MHz
تنسيق الذاكرةFLASH
حزمة جهاز المورد8-WSON (5x6)
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة60µs, 2.4ms
واجهة الذاكرةSPI - Quad I/O
وقت الوصول7.5 ns
منظمة الذاكرة16M x 8
captcha

خدمة على الانترنت

ساعات الخدمة: من الاثنين إلى السبت 9:00-18:00
ساعات الخدمة: من الاثنين إلى السبت 9:00-18:00
86-13826519287‬

خدمة على الانترنت

ساعات الخدمة: من الاثنين إلى السبت 9:00-18:00
يرجى اختيار خدمة العملاء عبر الإنترنت:
0