FBG30N04CC FETs الفردية، MOSFETs

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

FBG30N04CC

FETs الفردية، MOSFETs

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

حجم كبير

الأسعار:

$286.2450

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

$286.2450

$268.1010

$2,681.0100

الحصول على معلومات العرض

تفاصيل المنتجات

FBG30N04CC

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

مواصفات كتاب：

FBG30N04CC

FETs الفردية، MOSFETs

GAN FET HEMT 30

FETs الفردية، MOSFETs

حجم كبير

معلمات المنتج

PDF(1)

يكتب	وصف
MFR	EPC Space
مسلسل	-
طَرد	حجم كبير
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	4-SMD, No Lead
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	GaNFET (Gallium Nitride)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.8V @ 600µA
حزمة جهاز المورد	4-SMD
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	5V
في جي إس (الحد الأقصى)	+6V, -4V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	300 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	2.6 nC @ 5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	450 pF @ 150 V