G3K8N15HE FETs الفردية، MOSFETs

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

G3K8N15HE

FETs الفردية، MOSFETs

Goford Semiconductor

MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223

الشريط والبكرة (TR)

5000

الأسعار:

$0.0990

المخزون: 5000

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

2500

$0.0990

$247.5000

15000

$0.0900

$1,350.0000

30000

$0.0810

$2,430.0000

الحصول على معلومات العرض

تفاصيل المنتجات

G3K8N15HE

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

مواصفات كتاب：

G3K8N15HE

FETs الفردية، MOSFETs

Goford Semiconductor

MOSFET N-CH ESD

FETs الفردية، MOSFETs

الشريط والبكرة (TR)

5000

معلمات المنتج

PDF(1)

يكتب	وصف
MFR	Goford Semiconductor
مسلسل	-
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-261-4, TO-261AA
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	370mOhm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	2.16W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.5V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	SOT-223
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	150 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	20 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	558 pF @ 75 V