IRF830AS FETs الفردية، MOSFETs

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

IRF830AS

FETs الفردية، MOSFETs

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

أنبوب

الأسعار:

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

الحصول على معلومات العرض

تفاصيل المنتجات

IRF830AS

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

مواصفات كتاب：

IRF830AS

FETs الفردية، MOSFETs

MOSFET N-CH 500

FETs الفردية، MOSFETs

أنبوب

معلمات المنتج

PDF(1)

يكتب	وصف
MFR	Vishay / Siliconix
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	OBSOLETE
الحزمة / القضية	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	1.4Ohm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4.5V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	TO-263 (D2PAK)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±30V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	500 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	24 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	620 pF @ 25 V