PJQ5546V-AU_R2_002A1 FETs الفردية، MOSFETs

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

PJQ5546V-AU_R2_002A1

FETs الفردية، MOSFETs

PANJIT

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

الشريط والبكرة (TR)

2975

الأسعار:

$0.3690

المخزون: 2975

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

$0.9000

$0.7380

$7.3800

100

$0.5760

$57.6000

500

$0.4860

$243.0000

1000

$0.3960

$396.0000

3000

$0.3690

$1,107.0000

6000

$0.3510

$2,106.0000

9000

$0.3420

$3,078.0000

الحصول على معلومات العرض

تفاصيل المنتجات

PJQ5546V-AU_R2_002A1

رقم قطع الغيار：

فئات المنتجات：

الصانع：

النوع：

تغليف：

التعبئة：

الكمية：

حالة RoHs：

مواصفات كتاب：

PJQ5546V-AU_R2_002A1

FETs الفردية، MOSFETs

PANJIT

40V N-CHANNEL E

FETs الفردية، MOSFETs

الشريط والبكرة (TR)

2975

معلمات المنتج

PDF(1)

يكتب	وصف
MFR	PANJIT
مسلسل	-
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	8-PowerVDFN
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	5.9mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	3.5V @ 50µA
حزمة جهاز المورد	DFN5060-8
درجة	Automotive
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	7V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	40 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	23 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1283 pF @ 25 V
مؤهل	AEC-Q101