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Numéro de pièces
Classification des produits
Fabricants
type
encapsulé
Emballage
quantité
État de RoHS
A5G21H605W19NR3
FET RF, MOSFET
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
-
Bande et bobine (TR)
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Produits Détails
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A5G21H605W19NR3
Numéro de pièces
Classification des produits
Fabricants
type
encapsulé
Emballage
quantité
État de RoHS
Spécifications Livre
A5G21H605W19NR3
FET RF, MOSFET
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS
FET RF, MOSFET
Bande et bobine (TR)
-
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantNXP Semiconductors
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseOM-780-4S4S
Type de montageSurface Mount
Fréquence2.11GHz ~ 2.2GHz
Puissance - Sortie85W
Gagner15.1dB
TechnologieGaN
Package d'appareil du fournisseurOM-780-4S4S
Tension - Nominale125 V
Tension - Test48 V
Actuel - Test300 mA
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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