BSC105N15LS5ATMA1 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

BSC105N15LS5ATMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

TRENCH >=100V

Bande et bobine (TR)

3500

prix:

$1.9710

Les stocks: 3500

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$1.9710

$1.7730

$17.7300

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$1.4220

$142.2000

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$1.3410

$335.2500

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$585.0000

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$972.0000

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$2,250.0000

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$4,365.0000

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$0.8370

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Produits Détails

BSC105N15LS5ATMA1

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

BSC105N15LS5ATMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

TRENCH >=100V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

3500

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	OptiMOS™ 5
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerTDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.3V @ 91µA
Package d'appareil du fournisseur	PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 75 V