BY25Q128ASSJG(R) Mémoire

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

BY25Q128ASSJG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.7380

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

4000

$0.7380

$2,952.0000

6000

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$4,212.0000

10000

$0.6750

$6,750.0000

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Produits Détails

BY25Q128ASSJG(R)

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

BY25Q128ASSJG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

128 MBIT, 3.0V

Mémoire

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	BYTe Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	128Mbit
Type de mémoire	Non-Volatile
Température de fonctionnement	-40°C ~ 105°C (TA)
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge	108 MHz
Format de mémoire	FLASH
Package d'appareil du fournisseur	8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page	50µs, 2.4ms
Interface mémoire	SPI - Quad I/O
Temps d'accès	7 ns
Organisation de la mémoire	16M x 8