BY25Q40BSTIG(R) Mémoire

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

BY25Q40BSTIG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Bande et bobine (TR)

4000

prix:

$0.1260

Les stocks: 4000

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$0.4410

$0.3600

$3.6000

$0.3240

$8.1000

100

$0.2430

$24.3000

250

$0.2250

$56.2500

500

$0.1800

$90.0000

1000

$0.1350

$135.0000

4000

$0.1260

$504.0000

8000

$0.1170

$936.0000

12000

$0.1080

$1,296.0000

28000

$0.0990

$2,772.0000

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Produits Détails

BY25Q40BSTIG(R)

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

BY25Q40BSTIG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

4 MBIT, 3.0V (2

Mémoire

Bande et bobine (TR)

4000

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	BYTe Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	4Mbit
Type de mémoire	Non-Volatile
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge	108 MHz
Format de mémoire	FLASH
Package d'appareil du fournisseur	8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page	50µs, 2.4ms
Interface mémoire	SPI - Quad I/O, QPI
Temps d'accès	7 ns
Organisation de la mémoire	512K x 8