BY25Q64ESTIG(R) Mémoire

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

BY25Q64ESTIG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Bande et bobine (TR)

3975

prix:

$0.3510

Les stocks: 3975

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$135.0000

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$238.5000

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$378.0000

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$0.3510

$1,404.0000

8000

$0.3330

$2,664.0000

12000

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$3,888.0000

28000

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Produits Détails

BY25Q64ESTIG(R)

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

BY25Q64ESTIG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

64 MBIT, 3.0V (

Mémoire

Bande et bobine (TR)

3975

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	BYTe Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	64Mbit
Type de mémoire	Non-Volatile
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge	120 MHz
Format de mémoire	FLASH
Package d'appareil du fournisseur	8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page	50µs, 2.4ms
Interface mémoire	SPI - Quad I/O
Temps d'accès	11.5 ns
Organisation de la mémoire	8M x 8