BY25Q80BSSIG(R) Mémoire

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

BY25Q80BSSIG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Bande et bobine (TR)

4000

prix:

$0.1530

Les stocks: 4000

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$0.4230

$0.3600

$3.6000

$0.3420

$8.5500

100

$0.2700

$27.0000

250

$0.2520

$63.0000

500

$0.2160

$108.0000

1000

$0.1620

$162.0000

2000

$0.1530

$306.0000

6000

$0.1440

$864.0000

10000

$0.1350

$1,350.0000

50000

$0.1170

$5,850.0000

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Produits Détails

BY25Q80BSSIG(R)

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

BY25Q80BSSIG(R)

Mémoire

BYTe Semiconductor

8 MBIT, 3.0V (2

Mémoire

Bande et bobine (TR)

4000

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	BYTe Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	8Mbit
Type de mémoire	Non-Volatile
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge	108 MHz
Format de mémoire	FLASH
Package d'appareil du fournisseur	8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page	50µs, 2.4ms
Interface mémoire	SPI - Quad I/O, QPI
Temps d'accès	7 ns
Organisation de la mémoire	1M x 8