CAB006A12GM3T Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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CAB006A12GM3T

Matrices FET, MOSFET

SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE

Boîte

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$331.5690

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$331.5690

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Produits Détails

CAB006A12GM3T

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

CAB006A12GM3T

Matrices FET, MOSFET

SIC 2N-CH 1200V

Matrices FET, MOSFET

Boîte

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Wolfspeed
Série	-
Emballer	Boîte
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Module
Type de montage	Chassis Mount
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20400pF @ 800V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	6.9mOhm @ 200A, 15V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	708nC @ 15V
Vgs(e) (Max) @ Id	3.6V @ 69mA
Package d'appareil du fournisseur	Module