CGD65A130S2-T13 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

CGD65A130S2-T13

FET simples, MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Bande et bobine (TR)

3352

prix:

$2.9880

Les stocks: 3352

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Produits Détails

CGD65A130S2-T13

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

CGD65A130S2-T13

FET simples, MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

3352

Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Cambridge GaN Devices
Série	ICeGaN™
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	16-PowerVDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
Fonctionnalité FET	Current Sensing
Vgs(e) (Max) @ Id	4.2V @ 4.2mA
Package d'appareil du fournisseur	16-DFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Vgs (Max)	+20V, -1V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.3 nC @ 12 V