CGD65B200S2-T13 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

CGD65B200S2-T13

FET simples, MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Bande et bobine (TR)

4355

prix:

$4.0950

Les stocks: 4355

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Produits Détails

CGD65B200S2-T13

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

CGD65B200S2-T13

FET simples, MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

4355

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Cambridge GaN Devices
Série	ICeGaN™
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerVDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 600mA, 12V
Fonctionnalité FET	Current Sensing
Vgs(e) (Max) @ Id	4.2V @ 2.75mA
Package d'appareil du fournisseur	8-DFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	9V, 20V
Vgs (Max)	+20V, -1V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.4 nC @ 12 V