DI016N06PQ2-AQ Matrices FET, MOSFET

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DI016N06PQ2-AQ

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Produits Détails

DI016N06PQ2-AQ

Numéro de pièces：

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Spécifications Livre：

DI016N06PQ2-AQ

Matrices FET, MOSFET

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Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Diotec Semiconductor
Série	-
Emballer	En gros
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerTDFN
Type de montage	Surface Mount
Configuration	2 N-Channel
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max	16.7W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 30V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 15A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Fonctionnalité FET	Logic Level Gate
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TDSON-8-4
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101