DMN3066LVT-7 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

DMN3066LVT-7

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.0990

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

3000

$0.0990

$297.0000

6000

$0.0900

$540.0000

15000

$0.0900

$1,350.0000

30000

$0.0810

$2,430.0000

75000

$0.0810

$6,075.0000

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Produits Détails

DMN3066LVT-7

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

DMN3066LVT-7

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 2

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum)	900mW
Vgs(e) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TSOT-26
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 10 V