DMN62D2UVTQ-13 Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

DMN62D2UVTQ-13

Matrices FET, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.0810

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

10000

$0.0810

$810.0000

30000

$0.0810

$2,430.0000

50000

$0.0720

$3,600.0000

100000

$0.0720

$7,200.0000

Obtenir des informations sur les offres

Produits Détails

DMN62D2UVTQ-13

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

DMN62D2UVTQ-13

Matrices FET, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 4

Matrices FET, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Type de montage	Surface Mount
Configuration	2 N-Channel
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max	500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	455mA (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	41pF @ 30V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 50mA, 5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TSOT-26
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101