DMT35M4LPSW-13 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

DMT35M4LPSW-13

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.2070

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

2500

$0.2070

$517.5000

5000

$0.1890

$945.0000

12500

$0.1800

$2,250.0000

25000

$0.1710

$4,275.0000

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Produits Détails

DMT35M4LPSW-13

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

DMT35M4LPSW-13

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 2

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerTDFN
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	1.5W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	PowerDI5060-8 (Type UX)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1029 pF @ 15 V