DMTH10H4M5LPSW FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

DMTH10H4M5LPSW

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Bande et bobine (TR)

2500

prix:

$0.7380

Les stocks: 2500

Le nombre total

quantité

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Le prix total

$1.7550

$1.4580

$14.5800

100

$1.1610

$116.1000

500

$0.9810

$490.5000

1000

$0.8280

$828.0000

2500

$0.7380

$1,845.0000

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Produits Détails

DMTH10H4M5LPSW

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

DMTH10H4M5LPSW

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 6

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

2500

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerTDFN
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A (Ta), 107A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	PowerDI5060-8 (Type UX)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4843 pF @ 50 V