DMTH46M7SFVW-7 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

DMTH46M7SFVW-7

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

Bande et bobine (TR)

2000

prix:

$0.6120

Les stocks: 2000

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$0.6120

$0.5310

$5.3100

100

$0.3690

$36.9000

500

$0.3060

$153.0000

1000

$0.2610

$261.0000

2000

$0.2340

$468.0000

6000

$0.2250

$1,350.0000

10000

$0.2070

$2,070.0000

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Produits Détails

DMTH46M7SFVW-7

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

DMTH46M7SFVW-7

FET simples, MOSFET

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

MOSFET BVDSS: 3

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

2000

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerVDFN
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	7.4mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1315 pF @ 20 V