E3M0075120J2-TR FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

E3M0075120J2-TR

FET simples, MOSFET

Wolfspeed

75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Bande et bobine (TR)

650

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$10.2780

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Produits Détails

E3M0075120J2-TR

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

E3M0075120J2-TR

FET simples, MOSFET

Wolfspeed

75m, 1200V SiC

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

650

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Wolfspeed
Série	E
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	34A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Dissipation de puissance (maximum)	172W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.8V @ 5mA
Package d'appareil du fournisseur	TO-263-7
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (Max)	+19V, -8V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1480 pF @ 1000 V
Qualification	AEC-Q101