EPC2007 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

EPC2007

FET simples, MOSFET

EPC

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.8370

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1000

$0.8370

$837.0000

2000

$0.8010

$1,602.0000

5000

$0.7650

$3,825.0000

10000

$0.7470

$7,470.0000

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Produits Détails

EPC2007

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

EPC2007

FET simples, MOSFET

EPC

GANFET N-CH 100

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

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PDF(4)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 1.2mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	205 pF @ 50 V