EPC2014C FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

EPC2014C

FET simples, MOSFET

EPC

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Bande et bobine (TR)

52011

prix:

$0.5940

Les stocks: 52011

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$1.4400

$1.1790

$11.7900

100

$0.9180

$91.8000

500

$0.7740

$387.0000

1000

$0.6300

$630.0000

2500

$0.5940

$1,485.0000

5000

$0.5670

$2,835.0000

12500

$0.5400

$6,750.0000

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Produits Détails

EPC2014C

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

EPC2014C

FET simples, MOSFET

EPC

GANFET N-CH 40V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

52011

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

PDF(2)

PDF(3)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 2mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 20 V