EPC2015 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

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EPC2015

FET simples, MOSFET

GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE

Bande et bobine (TR)

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Produits Détails

EPC2015

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

EPC2015

FET simples, MOSFET

GANFET N-CH 40V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

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TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	DISCONTINUED
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 9mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 20 V