EPC2021 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

EPC2021

FET simples, MOSFET

EPC

GANFET N-CH 80V 90A DIE

Bande et bobine (TR)

6776

prix:

$4.5900

Les stocks: 6776

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Le prix total

$8.0910

$6.9390

$69.3900

100

$5.7780

$577.8000

500

$5.1030

$2,551.5000

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$4,590.0000

2000

$4.3020

$8,604.0000

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Produits Détails

EPC2021

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

EPC2021

FET simples, MOSFET

EPC

GANFET N-CH 80V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

6776

Spécifications Livre

Produits Paramètres

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TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	90A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 14mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1650 pF @ 40 V