G06N06S FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G06N06S

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M

Bande et bobine (TR)

6142

prix:

$0.1980

Les stocks: 6142

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$130.5000

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$396.0000

4000

$0.1980

$792.0000

8000

$0.1890

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$2,160.0000

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Produits Détails

G06N06S

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G06N06S

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N60V,RD(MAX)<22

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

6142

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2.1W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 30 V