G06NP06S2 Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G06NP06S2

Matrices FET, MOSFET

Goford Semiconductor

MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP

Bande et bobine (TR)

11960

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Produits Détails

G06NP06S2

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G06NP06S2

Matrices FET, MOSFET

Goford Semiconductor

MOSFET N/P-CH 6

Matrices FET, MOSFET

Bande et bobine (TR)

11960

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOP
Type de montage	Surface Mount
Configuration	N and P-Channel
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max	2W (Tc), 2.5W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)