G10N10A FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G10N10A

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252

Bande et bobine (TR)

4794

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Les stocks: 4794

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$1,912.5000

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Produits Détails

G10N10A

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G10N10A

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N100V,RD(MAX)13

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

4794

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	28W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	690 pF @ 25 V