G160N04K FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G160N04K

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0

Bande et bobine (TR)

4821

prix:

$0.4410

Les stocks: 4821

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$0.4410

$0.3780

$3.7800

100

$0.2610

$26.1000

500

$0.2070

$103.5000

1000

$0.1620

$162.0000

2500

$0.1440

$360.0000

5000

$0.1440

$720.0000

12500

$0.1260

$1,575.0000

25000

$0.1260

$3,150.0000

62500

$0.1260

$7,875.0000

Obtenir des informations sur les offres

Produits Détails

G160N04K

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G160N04K

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N40V, 25A,RD<15

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

4821

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	43W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1010 pF @ 20 V