G220P03D32 Matrices FET, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G220P03D32

Matrices FET, MOSFET

Goford Semiconductor

MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-

Bande et bobine (TR)

4960

prix:

$0.1710

Les stocks: 4960

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$198.0000

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$0.1800

$360.0000

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$855.0000

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$0.1620

$1,620.0000

25000

$0.1530

$3,825.0000

50000

$0.1530

$7,650.0000

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Produits Détails

G220P03D32

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G220P03D32

Matrices FET, MOSFET

Goford Semiconductor

MOSFET P+P-CH 3

Matrices FET, MOSFET

Bande et bobine (TR)

4960

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerVDFN
Type de montage	Surface Mount
Configuration	2 P-Channel
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max	30W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1305pF @ 15V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 3A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	8-DFN (3.15x3.05) Dual