G35N02K FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G35N02K

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18

Bande et bobine (TR)

217

prix:

$0.3870

Les stocks: 217

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$337.5000

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$630.0000

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$0.1170

$1,462.5000

25000

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$0.1080

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Produits Détails

G35N02K

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G35N02K

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N20V,RD(MAX)<13

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

217

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum)	40W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1380 pF @ 10 V