G3K8N15HE FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G3K8N15HE

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223

Bande et bobine (TR)

5000

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Produits Détails

G3K8N15HE

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G3K8N15HE

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

MOSFET N-CH ESD

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

5000

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-261-4, TO-261AA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	370mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2.16W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	SOT-223
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	558 pF @ 75 V