G60N04K FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G60N04K

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

Bande et bobine (TR)

2432

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$607.5000

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$1,170.0000

12500

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Produits Détails

G60N04K

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G60N04K

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

N40V,RD(MAX)<7M

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

2432

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	65W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-252 (DPAK)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 20 V