G7P03S FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

G7P03S

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33

Bande et bobine (TR)

3626

prix:

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Les stocks: 3626

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$234.0000

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$468.0000

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$0.1170

$936.0000

12000

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$1,296.0000

28000

$0.1080

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Produits Détails

G7P03S

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

G7P03S

FET simples, MOSFET

Goford Semiconductor

P30V,RD(MAX)<22

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

3626

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	P-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2.7W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1253 pF @ 15 V