GD25WD40EEIGR Mémoire

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

GD25WD40EEIGR

Mémoire

GigaDevice

IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.2610

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

3000

$0.2610

$783.0000

6000

$0.2430

$1,458.0000

15000

$0.2340

$3,510.0000

30000

$0.2250

$6,750.0000

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Produits Détails

GD25WD40EEIGR

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

GD25WD40EEIGR

Mémoire

GigaDevice

IC FLASH 4MBIT

Mémoire

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GigaDevice
Série	GD25WD
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-XFDFN Exposed Pad
Type de montage	Surface Mount
Taille mémoire	4Mbit
Type de mémoire	Non-Volatile
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation	1.65V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge	104 MHz
Format de mémoire	FLASH
Package d'appareil du fournisseur	8-USON (3x2)
Temps de cycle d'écriture - Word, Page	100µs, 6ms
Interface mémoire	SPI - Dual I/O
Temps d'accès	6 ns
Organisation de la mémoire	512K x 8