GPI65007DF56 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

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État de RoHS：

GPI65007DF56

FET simples, MOSFET

GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6

Bande et bobine (TR)

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$3.1500

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Produits Détails

GPI65007DF56

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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État de RoHS：

Spécifications Livre：

GPI65007DF56

FET simples, MOSFET

GaNFET N-CH 6

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GaNPower
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7A
Vgs(e) (Max) @ Id	1.5V @ 3.5mA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Vgs (Max)	+7.5V, -12V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.1 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	76.1 pF @ 400 V