GPI90010DF88 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

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GPI90010DF88

FET simples, MOSFET

GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8

Bande et bobine (TR)

2980

prix:

$5.6250

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Produits Détails

GPI90010DF88

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

GPI90010DF88

FET simples, MOSFET

GaNFET N-CH 9

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

2980

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GaNPower
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-DFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	162mOhm @ 2.5A, 6V
Vgs(e) (Max) @ Id	1.2V @ 3.5mA
Package d'appareil du fournisseur	8-DFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Vgs (Max)	+7.5V, -12V
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.6 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	78 pF @ 400 V