HN1B04FE-GR,LXHF Réseaux de transistors bipolaires

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

HN1B04FE-GR,LXHF

Réseaux de transistors bipolaires

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50

Bande et bobine (TR)

2353

prix:

$0.3960

Les stocks: 2353

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Le prix total

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$270.0000

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$1,008.0000

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$1,404.0000

28000

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$3,276.0000

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Produits Détails

HN1B04FE-GR,LXHF

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

HN1B04FE-GR,LXHF

Réseaux de transistors bipolaires

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

AUTO AEC-Q PNP

Réseaux de transistors bipolaires

Bande et bobine (TR)

2353

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	SOT-563, SOT-666
Type de montage	Surface Mount
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Puissance - Max	100mW
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Fréquence - Transition	80MHz
Package d'appareil du fournisseur	ES6
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101