IAUCN04S7L005ATMA1 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

IAUCN04S7L005ATMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

MOSFET_(20V 40V)

Bande et bobine (TR)

985

prix:

$1.1610

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$177.3000

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$1.6830

$420.7500

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$1.5120

$756.0000

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$1.2780

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$1.2060

$3,015.0000

5000

$1.1610

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Produits Détails

IAUCN04S7L005ATMA1

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IAUCN04S7L005ATMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

MOSFET_(20V 40V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

985

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	OptiMOS™ 7
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerTDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	430A (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	0.52mOhm @ 88A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	179W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	1.8V @ 95µA
Package d'appareil du fournisseur	PG-TDSON-8-43
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	141 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9415 pF @ 20 V
Qualification	AEC-Q101