ICE22N60B FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

ICE22N60B

FET simples, MOSFET

IceMOS Technology

Superjunction MOSFET

Bande et bobine (TR)

1600

prix:

$2.8350

Les stocks: 1600

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Le prix total

800

$2.8350

$2,268.0000

1600

$2.6640

$4,262.4000

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5600

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Produits Détails

ICE22N60B

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

ICE22N60B

FET simples, MOSFET

IceMOS Technology

Superjunction M

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

1600

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IceMOS Technology
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	208W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-263
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2730 pF @ 25 V