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Numéro de pièces
Classification des produits
Fabricants
type
encapsulé
Emballage
quantité
État de RoHS
IGN1011L70
FET RF, MOSFET
Integra Technologies
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
-
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Produits Détails
image of FET RF, MOSFET>IGN1011L70
IGN1011L70
Numéro de pièces
Classification des produits
Fabricants
type
encapsulé
Emballage
quantité
État de RoHS
Spécifications Livre
IGN1011L70
FET RF, MOSFET
Integra Technologies
RF MOSFET GAN H
FET RF, MOSFET
En gros
11 
1
Produits Paramètres
TAPERDESCRIPTION
FabricantIntegra Technologies
Série-
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Colis/CaissePL32A2
Type de montageChassis Mount
Fréquence1.03GHz ~ 1.09GHz
Puissance - Sortie80W
Gagner22dB
TechnologieGaN HEMT
Package d'appareil du fournisseurPL32A2
Tension - Nominale120 V
Tension - Test50 V
Actuel - Test22 mA
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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