IMBG65R015M2HXTMA1 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

IMBG65R015M2HXTMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

SILICON CARBIDE MOSFET

Bande et bobine (TR)

prix:

$12.9420

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$19.2150

$17.7210

$177.2100

$16.9290

$423.2250

100

$15.1380

$1,513.8000

250

$14.4360

$3,609.0000

500

$13.7430

$6,871.5000

1000

$12.9420

$12,942.0000

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Produits Détails

IMBG65R015M2HXTMA1

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IMBG65R015M2HXTMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

SILICON CARBIDE

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	CoolSiC™ Gen 2
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	115A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 64.2A, 18V
Dissipation de puissance (maximum)	416W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	5.6V @ 13mA
Package d'appareil du fournisseur	PG-TO263-7-12
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2792 pF @ 400 V