IPD35N10S3L26ATMA2 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

IPD35N10S3L26ATMA2

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

MOSFET_(75V 120V(

Bande et bobine (TR)

prix:

$0.6120

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

2500

$0.6120

$1,530.0000

5000

$0.5850

$2,925.0000

12500

$0.5580

$6,975.0000

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Produits Détails

IPD35N10S3L26ATMA2

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IPD35N10S3L26ATMA2

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

MOSFET_(75V 120

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	71W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Package d'appareil du fournisseur	PG-TO252-3-11
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Qualification	AEC-Q101