IPTC026N12NM6ATMA1 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

IPTC026N12NM6ATMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

TRENCH >=100V

Bande et bobine (TR)

prix:

$3.0870

Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

$5.4450

$4.9140

$49.1400

$4.6890

$117.2250

100

$4.0680

$406.8000

250

$3.8880

$972.0000

500

$3.5460

$1,773.0000

1800

$3.0870

$5,556.6000

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Produits Détails

IPTC026N12NM6ATMA1

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IPTC026N12NM6ATMA1

FET simples, MOSFET

IR (Infineon Technologies)

TRENCH >=100V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	OptiMOS™ 6
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	16-PowerSOP Module
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	26A (Ta), 222A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 115A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.6V @ 169µA
Package d'appareil du fournisseur	PG-HDSOP-16-2
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 60 V