IRF6643TRPBFXTMA1 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

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encapsulé：

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IRF6643TRPBFXTMA1

FET simples, MOSFET

TRENCH >=100V

Bande et bobine (TR)

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$0.8550

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Produits Détails

IRF6643TRPBFXTMA1

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IRF6643TRPBFXTMA1

FET simples, MOSFET

TRENCH >=100V

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	DirectFET™ Isometric MZ
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Package d'appareil du fournisseur	DirectFET™ Isometric MZ
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2340 pF @ 25 V