IRF9510STRL FET simples, MOSFET

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IRF9510STRL

FET simples, MOSFET

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

Bande et bobine (TR)

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Produits Détails

IRF9510STRL

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IRF9510STRL

FET simples, MOSFET

MOSFET P-CH 100

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Vishay / Siliconix
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	P-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V