IRFBF30S FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

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IRFBF30S

FET simples, MOSFET

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tube

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Produits Détails

IRFBF30S

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IRFBF30S

FET simples, MOSFET

MOSFET N-CH 900

FET simples, MOSFET

Tube

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Vishay / Siliconix
Série	-
Emballer	Tube
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3.6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	125W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V