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Numéro de pièces
Classification des produits
Fabricants
type
encapsulé
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IRFD320
FET simples, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
-
Tube
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Produits Détails
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IRFD320
Numéro de pièces
Classification des produits
Fabricants
type
encapsulé
Emballage
quantité
État de RoHS
Spécifications Livre
IRFD320
FET simples, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 400
FET simples, MOSFET
Tube
-
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
Série-
EmballerTube
État du produitOBSOLETE
Colis/Caisse4-DIP (0.300", 7.62mm)
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C490mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 210mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum)1W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur4-HVMDIP
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)400 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds410 pF @ 25 V
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