IRFSL31N20DTRL FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

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IRFSL31N20DTRL

FET simples, MOSFET

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK

Bande et bobine (TR)

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Produits Détails

IRFSL31N20DTRL

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IRFSL31N20DTRL

FET simples, MOSFET

MOSFET N-CH 200

FET simples, MOSFET

Bande et bobine (TR)

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Vishay / Siliconix
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	82mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	I2PAK
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2370 pF @ 25 V