IV1Q12050T3 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

IV1Q12050T3

FET simples, MOSFET

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

Tube

prix:

$32.4540

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$32.4540

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Produits Détails

IV1Q12050T3

Numéro de pièces：

Classification des produits：

Fabricants：

type：

encapsulé：

Emballage：

quantité：

État de RoHS：

Spécifications Livre：

IV1Q12050T3

FET simples, MOSFET

SIC MOSFET, 120

FET simples, MOSFET

Tube

Spécifications Livre

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Inventchip Technology
Série	-
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-247-3
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 20A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)	327W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.2V @ 6mA
Package d'appareil du fournisseur	TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2770 pF @ 800 V